[实用新型]GOI_TDDB测试电路结构

摘要

本实用新型提供一种GOI_TDDB测试电路结构，包括：第一焊垫、第二焊垫和第三焊垫；多个第四焊垫；多个MOS晶体管；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极和衬底；多个二极管，位于所述各并联支路上；多个保险丝，位于所述各并联支路上。在测试结构中设置多个MOS晶体管和连接每个MOS晶体管的栅极的第四焊垫，并将所述每个MOS晶体管的栅极并联在一起连接于第一焊垫，可以在测试的过程中同时对多个MOS晶体管进行测试，大大提高了测试的效率；在所述每个并联支路上均连接有保险丝，在所述并联支路上产生瞬间击穿电流时，所述保险丝会熔断，进而保护探针不会被损坏。

主权项

一种GOI_TDDB测试电路结构，其特征在于，所述GOI_TDDB测试电路结构至少包括：第一焊垫、第二焊垫和第三焊垫；多个第四焊垫，位于所述第一焊垫与所述第二焊垫之间；多个MOS晶体管，位于所述第四焊垫与相邻焊垫之间；所述MOS晶体管包括栅极、源极、漏极和衬底，所述MOS晶体管的栅极分别电连接至相邻的所述第四焊垫，且各个所述MOS晶体管的栅极通过并联支路并联在一起并电连接至所述第一焊垫，所述MOS晶体管的源极和所述MOS晶体管的漏极电连接至所述第二焊垫相连接，所述MOS晶体管的衬底电连接至所述第三焊垫相连接；多个二极管，位于所述各并联支路上；所述二极管包括正极和负极；多个保险丝，位于所述各并联支路上。