[实用新型]一种高效晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201420637020.5 | 申请日: | 2014-10-30 |
公开(公告)号: | CN204315595U | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 方结彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0352;H01L31/0216 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 温旭 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种高效晶硅太阳能电池,包括:背电极、铝背场、P型硅、N型硅、氮化硅膜和正电极;所述氮化硅膜上设有激光掺杂槽,所述激光掺杂槽内掺杂有磷元素;所述激光掺杂槽宽度大于所述正电极宽度,使所述正电极底部处于所述激光掺杂槽之内;所述激光掺杂槽宽度至少比所述正电极宽度宽5μm。采用本实用新型,使硅片表面的磷掺杂浓度呈选择性分布,在栅线以内的区域具有较高的磷掺杂浓度,保证栅线与硅的良好欧姆接触;在栅线以外的区域具有较低的掺杂浓度,提升电池的开路电压和短路电流,从而提升电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种高效晶硅太阳能电池,其特征在于,包括背电极、铝背场、P型硅、N型硅、氮化硅膜和正电极;所述氮化硅膜上涂覆磷源,对涂覆有磷源的氮化硅膜通过激光刻蚀形成激光掺杂槽;所述激光掺杂槽宽度大于所述正电极宽度,使所述正电极底部处于所述激光掺杂槽之内;所述激光掺杂槽宽度至少比所述正电极宽度宽5μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱康太阳能科技有限公司,未经广东爱康太阳能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420637020.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电芯卷绕设备
- 下一篇:一种同种芯片两色混光的LED器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的