[实用新型]低电阻率透明导电膜的制备装置有效

专利信息
申请号: 201420639710.4 申请日: 2014-10-30
公开(公告)号: CN204288828U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 王芸;倪嘉;彭程;彭小波;金良茂 申请(专利权)人: 中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
主分类号: H01B1/22 分类号: H01B1/22;H01B5/14;H01B13/00
代理公司: 上海硕力知识产权代理事务所 31251 代理人: 王法男
地址: 200061 上海市普*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种低电阻率透明导电膜的制备装置,包括如下(a)银线合成单元,其利用银线原料合成高长径比纳米银线;(b)导电银浆调配单元,其以所述银线为填料调配导电银浆;(c)涂覆单元,其将所述导电银浆涂覆在衬底上形成膜层;及(d)后处理单元,其对所述膜层后处理。本实用新型通过以高长径比纳米银线取代球状纳米银颗粒作为导电银浆主要填充材料的制备装置,实现以浆料中银线之间的相互接触来达到导电目的,相比于颗粒式接触,线状纳米银在提高可靠性的同时明显提升了其导电性能。
搜索关键词: 电阻率 透明 导电 制备 装置
【主权项】:
一种低电阻率透明导电膜的制备装置,其特征在于,包括:(a)银线合成单元,其利用银线原料合成高长径比纳米银线;(b)导电银浆调配单元,其以所述银线为填料调配导电银浆;(c)涂覆单元,其将所述导电银浆涂覆在衬底上形成膜层;及(d)后处理单元,其对所述膜层后处理。
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