[实用新型]钙钛矿基薄膜太阳电池有效
| 申请号： | 201420649588.9 | 申请日： | 2014-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN204243085U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 孟庆波;李冬梅;肖俊彦;罗艳红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;郭海彬 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种钙钛矿基薄膜太阳电池。包括：透明衬底；在透明衬底上形成的导电层；在导电层上形成的半导体材料的致密层；在致密层上形成的多孔支架层；在多孔支架层的内部空隙中填充的具有钙钛矿结构的半导体吸光层；在多孔支架层上形成的空穴传输层；在空穴传输层上形成的对电极；空穴传输层为能够进行空穴传输的导电聚合物复合材料。本实用新型采用导电聚合物复合材料作为钙钛矿基薄膜太阳电池的空穴传输层，与传统的仅含聚合物空穴传输层的钙钛矿基薄膜太阳电池相比，提高了空穴传输层的空穴迁移能力，提升了电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿基 薄膜 太阳电池 | ||
【主权项】：
一种钙钛矿基薄膜太阳电池，其特征在于，包括：透明衬底(10)；在所述透明衬底(10)上形成的导电层(20)；在所述导电层(20)上形成的半导体材料的致密层(30)；在所述致密层(30)上形成的多孔支架层(40)；在所述多孔支架层(40)的内部空隙中填充的具有钙钛矿结构的半导体吸光层(41)；在所述多孔支架层(40)上形成的空穴传输层(60)，其中，所述空穴传输层(60)为能够进行空穴传输的石墨炔‑聚合物复合材料；以及在所述空穴传输层(60)上形成的对电极(70)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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