[实用新型]一种LED晶粒与封装结构

摘要

本实用新型涉及LED芯片领域，公开了一种LED晶粒与封装结构，包括发光层、N型半导体层、活性层、P型半导体层、衬底、缓冲层、热沉、正电极以及负电极；发光层下方设有N型半导体层，N型半导体层下方设有活性层，活性层下方设有P型半导体层，P型半导体层下方设有衬底，衬底下方设有热沉。本实用新型在热沉上加入结构特殊的缓冲层，缓冲层内设有孔洞，经过孔洞将热量散到热沉中去，经过热沉散热；而采用环状半导体层，可以增加发光率；在封装结构中，采用矩阵式连接，可以节省密封体材料，并且上下两个密封体将LED晶粒矩阵包覆，可以防水。

主权项

一种LED晶粒，其特征在于：包括发光层(1)、N型半导体层(2)、活性层(3)、P型半导体层(4)、衬底(5)、缓冲层(6)、热沉(7)、正电极(8)以及负电极(9)；所述发光层(1)下方设有N型半导体层(2)，N型半导体层(2)下方设有活性层(3)，活性层(3)下方设有P型半导体层(4)，所述P型半导体层(4)下方设有衬底(5)，所述衬底(5)下方设有热沉(7)；所述N型半导体层(2)、活性层(3)、P型半导体层(4)以及衬底(5)均为环状体且三者内部柱状孔的直径相同，所述热沉(7)为上台阶(71)与下台阶(72)组成的梯台柱状一体结构，所述缓冲层(6)设置在上台阶(71)的上端，所述上台阶(71)套在N型半导体(2)、活性层(3)以及P型半导体层(4)的内部柱状孔内部；正电极(8)延伸设置在所述P型半导体层(4)与热沉(7)下台阶(72)的一侧，所述正电极(8)与所述P型半导体层(4)的端部、所述衬底(5)的端部直接接触连接；所述负电极(9)延伸设置在N型半导体层(2)与热沉(7)下台阶(72)的一侧，所述负电极(9)与所述N型半导体层(2)的端部、所述衬底(5)的端部直接接触连接。