[实用新型]具有双反射层的倒装发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201420655496.1 | 申请日： | 2014-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN204257692U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 金豫浙;冯亚萍;张溢;李志聪;叶青贤;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 具有双反射层的倒装发光二极管芯片，涉及发光二极管芯片的生产技术领域，在一透明生长基板的同一侧依次设置N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上设置透明氧化物欧姆接触层，在透明氧化物欧姆接触层上设置P反射层；在局部裸露的N型半导体层上设置N反射层；P反射层和N反射层布置在透明生长基板的同一侧；P反射层由P反射金属层、第一阻挡金属层和第一Ti接触金属层组成，N反射层由N反射金属层、第二阻挡金属层和第二Ti接触金属层组成。本实用新型有助于倒装发光二极管芯片提升亮度和提高层与层之间的黏附，改善可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射层 倒装 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种倒装发光二极管芯片，在一透明生长基板的同一侧依次设置N型半导体层、有源层和P型半导体层；在P型半导体层上设置透明氧化物欧姆接触层，在透明氧化物欧姆接触层上设置P反射层；在局部裸露的N型半导体层上设置N反射层；所述P反射层和N反射层布置在透明生长基板的同一侧；其特征在于：所述P反射层由P反射金属层、第一阻挡金属层和第一Ti接触金属层组成，所述P反射金属层设置在透明氧化物欧姆接触层上，第一阻挡金属层设置在P反射金属层上，第一Ti接触金属层设置在第一阻挡金属层上；所述N反射层由N反射金属层、第二阻挡金属层和第二Ti接触金属层组成，所述N反射金属层设置在N型半导体层上，第二阻挡金属层设置在N反射金属层上，第二Ti接触金属层设置在第二阻挡金属层上。
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