[实用新型]一种软恢复续流的二极管有效
申请号: | 201420656294.9 | 申请日: | 2014-11-05 |
公开(公告)号: | CN204167327U | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 黄福仁;黄赛琴;戴峰 | 申请(专利权)人: | 福建安特微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 351100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种软恢复续流的二极管,所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构,所述的缓冲层结构为:在基区的N区从上至下依次设置有N1区和N2区;在基区的P区中镶嵌有至少4个P+区;所述P区和4个P+区结构能控制空穴的注入效应。本实用新型的二极管的反向恢复时间快,耐压性好;在高频应用方面具有稳定的开关特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 恢复 二极管 | ||
【主权项】:
一种软恢复续流的二极管,其特征在于:所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构,所述的缓冲层结构为:在基区的N区从上至下依次设置有N1区和N2区;在基区的P区中镶嵌有至少4个P+区;所述P区和4个P+区结构能控制空穴的注入效应。
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