[实用新型]具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具有效
| 申请号： | 201420664095.2 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN204204908U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈桂芳 | 申请（专利权）人： | 贺喜能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/64;F21S2/00 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾苗*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及具硅基座的发光二极管及发光二极管灯具，其中具硅基座的发光二极管包含一硅基座及一发光二极管芯片，所述硅基座包括一形成于内部的电源控制集成电路、一形成于底面的P电极、一形成于底面的N电极，及一形成于底面的散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接，所述发光二极管芯片共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部，所述电源控制集成电路取代以往的电源控制器，提供了更加优化的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 基座 发光二极管 灯具 | ||
【主权项】：
一种具硅基座的发光二极管，其特征在于，包含：一硅基座，包括形成于内部的一电源控制集成电路、形成于底面的一P电极、形成于底面的一N电极，及形成于底面的一散热接地部，所述电源控制集成电路与所述P电极和所述N电极电连接；及至少一发光二极管芯片，共晶贴合于所述硅基座顶面，所述发光二极管芯片与所述P电极和所述N电极电连接，其中，所述硅基座定义一散热通道，是由所述发光二极管芯片经所述硅基座内部至所述散热接地部。
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