[实用新型]一种非挥发性SRAM存储单元电路

摘要

本实用新型提供一种非挥发性SRAM存储单元电路，该电路具有数据存储位置Q点，其特征在于：还增加了一个辅助电路，用于数据存储位置Q点的数据的断电休眠记忆与上电恢复。所述的非挥发性SRAM存储单元电路具体包括：PMOS晶体管M1、M2、M10、C1、C2；NMOS晶体管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M11。M9、M10源极连接Q点，漏极连接C1、C2栅极及M11漏极，M9栅极连接信号WAK，M10栅极连接信号C1源极、漏极、衬底连接信号SLP；C2源极、漏极、衬底连接地；M11栅极连接点，源极连接地。该电路有效地节省了待机状态下的能量损失。

主权项

一种非挥发性SRAM存储单元电路，该电路具有数据存储位置Q点，其特征在于：还增加了一个辅助电路，用于数据存储位置Q点的数据的断电休眠记忆与上电恢复；所述的非挥发性SRAM存储单元电路，具体包括：PMOS晶体管M1、M2、M10、C1、C2；NMOS晶体管M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M11；M1、M2源极连接电源VDD，漏极分别连接M3、M4的漏极，M1栅极连接M3栅极称为，M2栅极连接M4栅极称为Q；M3源极连接M4的源极连接地；M1漏极和M3漏极接Q点；M2漏极和M4漏极接点；M5源极连接写位线WBLB，漏极连接点，栅极连接写字线WWL；M6源极连接写位线WBL，漏极连接Q点，栅极连接写字线WWL；M7漏极连接读位线RBL，栅极连接读字线RWL，源极连接M8漏极；M8源极连接地，栅极连接Q点；M9、M10源极连接Q点，漏极连接C1、C2栅极及M11漏极，M9栅极连接信号WAK，M10栅极连接信号；C1源极、漏极、衬底连接信号SLP；C2源极、漏极、衬底连接地；M11栅极连接点，源极连接地；其中，M9、M10、M11、C1和C2构成了用于数据存储位置Q点的数据的断电休眠记忆与上电恢复的辅助电路。