[实用新型]基于VCSEL的高功率半导体激光器及其VCSEL激光器模组有效
| 申请号： | 201420681460.0 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN204290035U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李阳;李德龙 | 申请（专利权）人： | 李德龙 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人： | 陈曦;王鹏丽 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及基于VCSEL的高功率半导体激光器及其VCSEL激光器模组。一种VCSEL激光器模组，包括由多个VCSEL芯片组成的VCSEL芯片阵列和设置在VCSEL芯片阵列的出光面前方的内壁反射型光学传输器件；其中，VCSEL芯片阵列的出光面对经过目标物和内壁反射型光学传输器件反射回来的反射光线进行二次反射。该VCSEL激光器模组，依赖VCSEL芯片表面极高的反射率和内壁反射型光学传输器件，实现了高效率的激光传输，并对目标物折回的反射光进行高效的二次利用，充分提高了激光的利用率。这种结构可以大幅提高激光的出射效率和目标物的吸收率，并可以有效汇聚光束，进一步提高出射口的光学功率密度。本实用新型同时提供了包括上述VCSEL激光器模组的高功率半导体激光器，这种激光器在激光医疗和工业激光加工等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 vcsel 功率 半导体激光器 及其 激光器 模组 | ||
【主权项】：
一种VCSEL激光器模组，其特征在于包括多个VCSEL芯片组成的VCSEL芯片阵列和设置在所述VCSEL芯片阵列的出光面前方的内壁反射型光学传输器件；所述VCSEL芯片阵列的出光面对经过目标物和所述内壁反射型光学传输器件反射回来的反射光线进行二次反射。
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