[实用新型]一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置有效
| 申请号： | 201420689689.9 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN204251691U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;夏申江;屠友明;王芸 | 申请（专利权）人： | 中建材光电装备（太仓）有限公司;中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C03C17/22 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;徐丹 |
| 地址： | 215434 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，包括一真空沉积腔（1）以及气相沉积器（2），气相沉积器（2）包括一坩锅（21）、多孔透气膜（22）以及进料分配器（23）；其特征在于：气相沉积器（2）还包括一致密外壳（24），该致密外壳（24）套于所述坩锅（21）外；致密外壳（24）的底部设有出气通道（241），所述玻璃基板（3）设于致密外壳（24）的下方与出气通道（241）相对；坩锅（21）内腔经多孔透气膜（22）与坩锅（21）和致密外壳（24）之间的空间相通。本实用新型保证了大面积高温基板玻璃上沉积半导体薄膜的均匀性，又解决了在大面积高温基板玻璃上沉积半导体薄膜时玻璃基板变形问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 基板上 沉积 形成 半导体 薄膜 装置 | ||
【主权项】：
一种在玻璃基板上沉积形成半导体薄膜的装置，包括一真空沉积腔（1）以及设于真空沉积腔（1）内的气相沉积器（2），所述气相沉积器（2）包括一坩锅（21）、盖设于坩锅（21）上敞口的多孔透气膜（22）以及设于坩锅（21）底部的进料分配器（23）；其特征在于：所述气相沉积器（2）还包括一致密外壳（24），该致密外壳（24）套于所述坩锅（21）外，坩锅（21）和致密外壳（24）间留有空间；所述致密外壳（24）的底部设有出气通道（241），所述玻璃基板（3）设于致密外壳（24）的下方与出气通道（241）相对；所述坩锅（21）内腔经多孔透气膜（22）与坩锅（21）和致密外壳（24）之间的空间相通，所述坩锅（21）内受热升华成气相的半导体材料穿过多孔透气膜（22）至坩锅（21）和致密外壳（24）之间的空间，再穿过所述致密外壳（24）底部的出气通道（241）并沉积在所述玻璃基板（3）上。
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