[实用新型]压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片有效
| 申请号： | 201420695745.X | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN204241503U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 揣荣岩;代全;王健;张晓民;衣畅 | 申请（专利权）人： | 沈阳工业大学 |
| 主分类号： | G01P15/12 | 分类号： | G01P15/12;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 | 代理人： | 宋铁军;周楠 |
| 地址： | 110870 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁一端与质量块相连，另一端与硅基框架相连，应变电阻通过金属导线连接成惠斯通电桥。主梁的劲度系数远大于微梁的劲度系数（通常大几十到上千倍），应变电阻为多晶硅纳米膜电阻。本实用新型具有固有频率高、灵敏度高、过载能力强、温度特性好等优点，其制造方法与IC工艺兼容适于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 压阻式高 固有频率 mems 加速度 敏感 芯片 | ||
【主权项】：
一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架（1）、主梁（2）、微梁（3）和质量块（4），其特征在于：质量块（4）通过主梁（2）和微梁（3）与硅基框架（1）相连；质量块（4）一端设置有微梁（3），微梁（3）上设有应变电阻（5），质量块（4）另一端设置有对称的两个主梁（2），主梁（2）一端与质量块（4）相连，另一端与硅基框架（1）相连，应变电阻（5）通过金属导线（6）连接成惠斯通电桥。
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