[实用新型]超声波楔形接合构造有效
| 申请号： | 201420696919.4 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN204204803U | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 加治敏晴;多田一夫 | 申请（专利权）人： | 康奈可关精株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种在超声波楔形接合过程中提高上层接合线切断时的稳定性、可靠性的超声波楔形接合构造。其是这样形成的：通过将下层接合线(15(L))超声波接合在被接合构件(电极(12)、配线图案(14))上而形成下层超声波接合部(26(L))。并且，通过将该上层接合线(15(H))重叠在该下层超声波接合部(26(L))的上侧并进行超声波接合而形成上层超声波接合部(26(H))。并且，在上层超声波接合部(26(H))的接合线配线方向下游侧形成有将上层接合线(15(H))切断而成的切断部(31)。此时，在切断部(31)的下方设置有用于自下侧支承切断部(31)的切断用支承部(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 超声波 楔形 接合 构造 | ||
【主权项】：
一种超声波楔形接合构造，其是这样形成的：通过将下层接合线超声波接合在被接合构件上而形成下层超声波接合部，并且通过将上层接合线重叠在该下层超声波接合部的上侧并进行超声波接合而形成上层超声波接合部，其特征在于，在所述上层超声波接合部的接合线配线方向下游侧形成有将上层接合线切断而成的切断部，并且，在该切断部的下方设置有用于自下侧支承切断部的切断用支承部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
