[实用新型]霍尔条微器件有效
| 申请号： | 201420708532.6 | 申请日： | 2014-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN204243084U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李康;欧云波;何珂;马旭村 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/10;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种霍尔条微器件。该霍尔条微器件包括：衬底；凸台，位于衬底上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面；以及薄膜层，由拓扑绝缘体材料在凸台的表面上外延生长而成，且具有与凸台相对应的形状。本实用新型在制备三维拓扑绝缘体薄膜器件时，掺杂磁性元素Cr后，(BixSb1-x)2Te3材料变成了铁磁性的绝缘体。采用掺Cr的(BixSb1-x)2Te3材料作为薄膜层制备来三维拓扑绝缘体薄膜器件，拓扑绝缘体具有边态，在极低的温度条件下就可以测量量子反常霍尔效应，即在不加外加磁场的情况下观察到量子霍尔效应，这一效应在计量学，未来的电子器件应用中将会有巨大的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 霍尔 器件 | ||
【主权项】：
一种霍尔条微器件，其特征在于，包括：衬底(10)；凸台(20)，位于所述衬底(10)上并具有预定的霍尔条形状，并具有平整的上表面(21)；以及薄膜层(30)，由拓扑绝缘体材料在所述凸台(20)的所述表面(21)上外延生长而成，且具有与所述凸台(20)相对应的形状。
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