[实用新型]负载检测电路有效

专利信息
申请号: 201420711736.5 申请日: 2014-11-24
公开(公告)号: CN204216774U 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: S·维尔梅尔;L·艾彻瑞尔德勒 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/088
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 实用新型涉及一种负载检测电路,其包括:驱动电路,第一开关,诊断晶体管以及比较器。本实用新型能够提供对于FET电路测试诸如开路之类的系统差错或低负载状态的装置。
搜索关键词: 负载 检测 电路
【主权项】:
一种负载检测电路,包括:驱动电路,被配置用于形成驱动信号,以利用第一控制信号驱动驱动晶体管的控制电极,以形成所述驱动晶体管的第一载流电极与所述驱动晶体管的第二载流电极之间的电压;第一开关,被耦合成响应于模式信号的第一状态而选择性地将第一信号耦合到所述驱动电路,并响应于所述模式信号的第二状态而选择性地将第二信号耦合到所述驱动电路,其中所述驱动电路被配置用于响应于接收到所述第一信号形成所述电压以具有第一值,并响应于接收到所述第二信号而形成所述电压以具有第二值;诊断晶体管,被配置成并联地与所述驱动晶体管相耦合,所述诊断晶体管具有被配置用于接收第二控制信号的控制电极,所述第二控制信号响应于所述模式信号的第一状态而具有第三值,并响应于所述模式信号的第二状态而具有第四值,其中所述第三值基本上使所述诊断晶体管禁用;以及比较器,被配置用于响应于所述模式信号的第二状态而检测所述驱动晶体管的控制电极具有小于所述驱动晶体管的阈值电压的第五值。
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