[实用新型]一种改进的石墨舟有效
申请号: | 201420714349.7 | 申请日: | 2014-11-25 |
公开(公告)号: | CN204251708U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 梁国强 | 申请(专利权)人: | 浙江东达光伏有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
代理公司: | 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 | 代理人: | 赵卫康 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种改进的石墨舟,包括多片并列的石墨舟片,石墨舟片由陶瓷环和石墨棒连接构成舟体,多根陶瓷环垂直连接在石墨舟片间并在石墨舟片上排列成上下两层,两块相邻的石墨舟片和两根相邻的陶瓷环间构成硅片存放空间,相邻两片石墨舟片间的陶瓷环中间段为圆柱形,陶瓷环两端为圆台形,陶瓷环中间为中空结构。本实用新型通过减小陶瓷环两端部分的外径,从而增加相对的两个陶瓷环的外壁之间的距离,以扩大操作员工插卸硅片时硅片的可通过通道的宽度,从而达到减少硅片与陶瓷环碰撞的几率。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 石墨 | ||
【主权项】:
一种改进的石墨舟,包括多片并列的石墨舟片(1),石墨舟片(1)由陶瓷环(2)和石墨棒(3)连接构成舟体,其特征在于,多根陶瓷环(2)垂直连接在石墨舟片(1)间并在石墨舟片(1)上排列成上下两层,两块相邻的石墨舟片(1)和两根相邻的陶瓷环(2)间构成硅片存放空间,相邻两片石墨舟片间的陶瓷环(2)中间段为圆柱形,陶瓷环(2)两端为圆台形,陶瓷环(2)中间为中空结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江东达光伏有限公司,未经浙江东达光伏有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420714349.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:管道阴极保护实时监测装置
- 下一篇:一种真空镀膜舱的两级抽真空结构
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的