[实用新型]大能量高寿命半导体电嘴放电端结构有效

专利信息
申请号: 201420720779.X 申请日: 2014-11-26
公开(公告)号: CN204253189U 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 张喆;高淑娟;王晖 申请(专利权)人: 陕西航空电气有限责任公司
主分类号: F02C7/266 分类号: F02C7/266
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 陈星
地址: 713107 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 实用新型提出大能量高寿命半导体电嘴放电端结构,由中心电极、半导体零件、侧电极组成,侧电极内孔径为φ6mm~φ7.5mm,孔深3mm~6mm;中心电极外圆直径为φ4.5mm~φ6mm,厚度1.5mm~2.5mm。该结构在凹陷露极式结构的基础上增加谐振腔,这样既可以增大电极的尺寸,增加半导体工作面积,等同于增加耗材,提高电极及半导体涂层的耐腐蚀性,又具有谐振腔,可以集中并加长火焰,提高点火可靠性。
搜索关键词: 能量 寿命 半导体 放电 结构
【主权项】:
一种大能量高寿命半导体电嘴放电端结构,由中心电极、半导体零件、侧电极组成,其特征在于:侧电极内孔径为φ6mm~φ7.5mm,孔深3mm~6mm;中心电极外圆直径为φ4.5mm~φ6mm,厚度1.5mm~2.5mm。
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