[实用新型]一种PECVD装置有效
申请号: | 201420724691.5 | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN204211821U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 陈五奎;李军;徐文州;陈磊;冯加保 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/46 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种能够降低生产成本的PECVD装置。该装置包括设置有炉门的真空沉积室,真空沉积室内设有石墨舟,真空沉积室上设有进气口与排气口,所述排气口上连接有排放管,排放管末端连接有设置有真空泵,真空泵的出口连接有尾排管,所述真空沉积室上设置有用于打开或关闭炉门的开关装置,所述炉门包括石英炉门和位于石英炉门外侧的支撑体组成,所述支撑体采用生铁制作而成,所述支撑体的表面开有多个减轻孔。通过设置减轻孔可以减小炉门的重量,便于炉门移动,同时开关装置装置承受的负荷较小,因而,不容易损坏开关装置,能够延长开关装置的使用寿命,可以大大降低生产成本。适合在太阳能电池硅片加工设备领域推广应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 装置 | ||
【主权项】:
一种PECVD装置,包括设置有炉门(1)的真空沉积室(2),真空沉积室(2)内设有石墨舟(3),硅片放置于石墨舟(3)上,真空沉积室(2)上设有进气口(4)与排气口(5),所述进气口(4)上连接有用于通入制程气体的进气管(6),所述排气口(5)上连接有排放管(8),排放管(8)末端连接有真空泵(9),真空泵(9)的进口与排放管(8)的出口相连,真空泵(9)的出口连接有尾排管(10),所述真空沉积室(2)上设置有用于打开或关闭炉门(1)的开关装置(11),其特征在于:所述炉门(1)包括石英炉门(101)和位于石英炉门(101)外侧的支撑体(102)组成,所述支撑体(102)采用生铁制作而成,所述支撑体(102)的表面开有多个减轻孔(103)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的