[实用新型]一种具有过渡层的硅基薄膜太阳能电池有效
| 申请号： | 201420726223.1 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN204424271U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 何湘衡;李廷凯 | 申请（专利权）人： | 湖南共创光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;刘佳芳 |
| 地址： | 421001 湖南省衡*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种具有过渡层的硅基薄膜太阳能电池，包括n型硅晶片，在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化硅层。采用这种过渡层的硅基薄膜复合型电池，可以在原来的基础上将电池转换效率提高10％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 过渡 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种具有过渡层的硅基薄膜太阳能电池，包括n型硅晶片，其特征是，在n型硅晶片的前表面或者在n型硅晶片的背表面或者在n型硅晶片的前表面和背表面同时设有过渡层；所述过渡层为一层或者多层，其中任意一层均为富硅氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
