[实用新型]一种IGBT驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种IGBT驱动电路，包括型号为IR2101的驱动芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、电源、第一NMOS管、第二NMOS管、电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、反相器和变压器，当接入高电平的驱动信号时，经过型号为IR2101的驱动芯片高端驱动，第一NMOS管导通、第二NMOS管关断，第一电容充电、变压器的初级线圈流过正向电流，变压器的次级线圈耦合正电压使IBGT导通；当接入低电平的驱动信号时，第一电容放电、第二NMOS管导通，第一NMOS管关断，变压器的初级线圈流过反向电流变压器的次级线圈耦合负电压使IBGT关断；优点是成本低，方法简单，驱动波形好，可靠性高。

主权项

一种IGBT驱动电路，其特征在于：包括型号为IR2101的驱动芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、电源、第一NMOS管、第二NMOS管、电感、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、反相器和变压器，所述的第一电阻的一端、所述的第二电阻的一端和所述的驱动芯片的第7脚连接，所述的第三电阻的一端、所述的第四电阻的一端和所述的驱动芯片的第5脚连接，所述的驱动芯片的第2脚和所述的反相器的输入端连接且其连接端为IGBT驱动电路的信号输入端，所述的反相器的输出端和所述的驱动芯片的第3脚连接，所述的第一电阻的另一端、所述的第一二极管的阳极、所述的第一NMOS管的漏极、所述的电感的一端、所述的第四电容的一端和所述的驱动芯片的第6脚连接，所述的第四电容的另一端、所述的第五二极管的阴极和所述的驱动芯片的第8脚连接，所述的第二电阻的另一端、所述的第一二极管的阴极和所述的第一NMOS管的栅极连接，所述的第五二极管的阳极、所述的驱动芯片的第1脚、所述的第一NMOS管的源极、所述的第三电容的一端和所述的电源的正极输出端连接，所述的第三电容的另一端、所述的第一电容的一端和所述的第二电容的一端连接，所述的驱动芯片的第4脚、所述的第二电容的另一端、所述的第三电阻的另一端、所述的第二二极管的阳极、所述的第二NMOS管的漏极和所述的电源的负极输出端连接，所述的电源的负极输出端接地，所述的第四电阻的另一端、所述的第二二极管的阴极和所述的第二NMOS管的栅极连接，所述的第二NMOS管的源极、所述的电感的另一端和所述的变压器的初级线圈的一端连接，所述的第一电容的另一端和所述的变压器的初级线圈的另一端连接，所述的变压器的次级线圈的一端和所述的第五电阻的一端连接，所述的第五电阻的另一端和所述的第三二极管的阳极连接且其连接端为IGBT栅极驱动信号输出端，所述的第三二极管的阴极和所述的第四二极管的阴极连接，所述的第四二极管的阳极和所述的变压器的次级线圈的另一端连接且其连接端为IGBT发射极驱动信号输出端，所述的IGBT发射极驱动信号输出端接地。