[实用新型]一种具有三层钝化结构的太阳能电池有效
申请号: | 201420733805.2 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN204230253U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 徐世贵;王立建 | 申请(专利权)人: | 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 任立 |
地址: | 214203 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种具有三层钝化结构的太阳能电池,包括:扩散形成于晶体硅基体上表面的发射极层且发射极层为均匀分布的齿状结构;自下而上依次沉积在发射极层上的三层钝化减反射膜;栅线分布在晶体硅基体上方的正面电极,且正面电极的下端穿过三层钝化减反射膜后与发射极层的齿状表面相配合;栅线分布在晶体硅基体下方的背面电极,且背面电极嵌入铝背场中并与晶体硅基体下表面接触;本实用新型能够显著提高其抗PID衰减的能力,同时该电池结构具有较高的转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 三层 钝化 结构 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种具有三层钝化结构的太阳能电池,其特征在于,包括:用于支撑的晶体硅基体;扩散形成于晶体硅基体上表面的发射极层,所述发射极层为均匀分布的齿状结构;自下而上依次沉积在发射极层上的三层钝化减反射膜;栅线分布在晶体硅基体上方的正面电极,且所述正面电极的下端穿过所述三层钝化减反射膜后与发射极层的齿状表面相配合;附着在晶体硅基体下表面的铝背场;栅线分布在晶体硅基体下方的背面电极,且所述背面电极嵌入所述铝背场中并与所述晶体硅基体下表面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的