[实用新型]一种晶体硅太阳电池减反膜结构

摘要

本实用新型公开了一种晶体硅太阳电池减反膜结构，包括硅衬底, 在硅衬底上端面设有介质层，介质层包括由下向上分别为SiO2介质层、SiN介质层和SiON介质层；在硅衬底下表面附着Al背场，Al背场边界与硅衬底边缘距离为1.5-3.1nm；在介质层上方分布有电极，电极的两端与介质层边缘的距离分别为2.8-4.3nm，介质层上设有浮法超白玻璃盖板，浮法超白玻璃盖板覆盖在电极和介质层上表面；本实用新型不仅结构简单，制造成本低，使用寿命长，而且使得硅片在镀膜后既得到低反射率的膜层，对金属离子有很好的屏蔽作用，又能达到抗PID的效果，提高了太阳电池的转换效率，工作稳定，增加了该设备的使用寿命，降低成本。

主权项

一种晶体硅太阳电池减反膜结构，包括硅衬底(5), 其特征在于：在所述硅衬底(5)上端面设有介质层，所述介质层包括由下向上分别为SiO2介质层（4）、SiN介质层（3）和SiON介质层（2）；在所述硅衬底（5）下表面附着Al背场（6），所述Al背场边界与硅衬底(5)边缘距离为1.5‑3.1nm；在介质层上方分布有电极（1），所述电极（1）的两端与介质层边缘的距离分别为2.8‑4.3nm，所述介质层上设有浮法超白玻璃盖板（7），所述浮法超白玻璃盖板（7）覆盖在电极（1）和介质层上表面。