[实用新型]一种载盘组件有效
申请号: | 201420735359.9 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN204315540U | 公开(公告)日: | 2015-05-06 |
发明(设计)人: | 黄宏义 | 申请(专利权)人: | 宽辅科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种载盘组件,其包含:主体,设置成板状并具有上表面及下表面,上表面具有1.0μm~5.0μm的表面粗糙度(Ra)并且设有一或多个基板承载区域,基板承载区域用以容置基板并且设置有第一气体通孔,第一气体通孔穿透主体;顶盖,用以覆盖主体的上表面及侧边,顶盖具有分别对应一或多个基板承载区域的一或多个穿孔,以露出容置在基板承载区域上的基板;以及密封环,设置在基板承载区域的周围,并用以在顶盖与主体之间形成独立空间,以及在基板与主体之间形成独立空间。 | ||
搜索关键词: | 一种 组件 | ||
【主权项】:
一种载盘组件,用以承载基板,其特征在于,所述载盘组件包括:一主体,设置成板状并具有一上表面及一下表面,其中所述上表面经过表面粗化处理以具有1.0um~5.0um的表面粗糙度并且设有一或多个基板承载区域,所述基板承载区域用以容置基板并且设置有第一气体通孔,所述第一气体通孔穿透所述主体,以及,其中在未设置所述基板承载区域的上表面,设置有第二气体通孔,所述第二气体通孔穿透所述主体;一顶盖,用以覆盖所述主体的上表面以及所述主体的侧边,所述顶盖具有一或多个穿孔,其中所述一或多个穿孔是分别对应所述一或多个基板承载区域,以露出容置在所述基板承载区域上的所述基板;以及一密封环,设置在所述基板承载区域的周围,并用以在所述顶盖与所述主体之间形成独立空间,以及在所述基板与所述主体之间形成独立空间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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