[实用新型]一种垂直LED结构有效
| 申请号： | 201420735517.0 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN204216063U | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;丁海生;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种垂直LED结构，首先通过离子注入技术将外延层分割成若干绝缘分离的独立发光半导体层，以取代传统的先制作隔离槽再填充绝缘材料的复杂工艺，并在各独立发光半导体层上形成独立接触层，接着在各独立接触层上形成网状结构的DBR反射层以取代银镜面反射层，再在各网状结构的DBR反射层上形成独立金属功能层。本实用新型通过在独立接触层上设置网状结构的DBR反射层以取代银镜面反射层，在网状结构的DBR反射层上设有价格便宜的独立金属功能层，在解决亮度提升问题和散热问题的同时，降低了LED的生产成本，适于商业化大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 led 结构 | ||
【主权项】：
一种垂直LED结构，其特征在于，包括：独立发光半导体层，所述独立发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层；形成于独立发光半导体层侧壁的高阻态离子注入层；形成于所述P型半导体层上的独立接触层；形成于所述独立接触层上的网状结构的DBR反射层；形成于所述网状结构的DBR反射层及网状结构的DBR反射层暴露出来的独立接触层上的独立金属功能层；与所述独立金属功能层组合在一起的基板，所述基板包括导电基板、形成于所述导电基板侧壁的隔离固定板以及形成于导电基板上的第一焊盘；以及形成于所述N型半导体层上的第二焊盘。
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