[实用新型]功率MOSFET有效
| 申请号： | 201420736131.1 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN204257661U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 廖奇泊;陈俊峰;古一夫 | 申请（专利权）人： | 上海芯亮电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200233 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种功率MOSFET，包括衬底、多重终止环、浮接多晶硅环、芯片边界、高温热氧化层，多重终止环位于衬底和高温热氧化层之间，浮接多晶硅环位于高温热氧化层上，芯片边界位于衬底的侧面。本实用新型功率MOSFET能完全消除突波的或瞬时脉冲对组件所可能引起的伤害，即能够提供组件对突波或瞬时脉冲更佳的防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET，其特征在于，包括衬底、多重终止环、浮接多晶硅环、芯片边界、高温热氧化层，多重终止环位于衬底和高温热氧化层之间，浮接多晶硅环位于高温热氧化层上，芯片边界位于衬底的侧面。
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