[实用新型]一种等离子体增强化学气相沉积工艺设备有效
申请号: | 201420740654.3 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN204342876U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 张欣;丁小弟;金懿 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种等离子体增强化学气相沉积工艺设备,包括:反应腔室,设置有进料口,且反应腔室处于设备的中心位置;外壳,部分包裹反应腔室,且外壳的顶部设有第一螺丝孔组,外壳的底部设有第二螺丝孔组;第一隔绝装置,通过第一螺丝孔组设置于外壳的底部;一第二隔绝装置,通过第二螺丝孔组设置于外壳的顶部;一压缩装置,连接于第一隔绝装置和第二隔绝装置;其中,第一隔绝装置还包括第一联动轴和第一阀门,第二隔绝装置还包括第二联动轴和第二阀门,第一联动轴和第二联动轴均通过压缩装置分别带动第一阀门和第二阀门,以关闭反应腔室的进料口。本实用新型装置可以有效的提高半导体制备工艺的效率,提高了设备在线的使用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 增强 化学 沉积 工艺设备 | ||
【主权项】:
一种等离子体增强化学气相沉积工艺设备,其特征在于,包括:一反应腔室,设置有进料口,且所述反应腔室处于设备的中心位置;一外壳,部分包裹所述反应腔室,且所述外壳的顶部设有第一螺丝孔组,所述外壳的底部设有第二螺丝孔组;一第一隔绝装置,通过所述第一螺丝孔组设置于所述外壳的底部;一第二隔绝装置,通过所述第二螺丝孔组设置于所述外壳的顶部;一压缩装置,连接于所述第一隔绝装置和第二隔绝装置;其中,所述第一隔绝装置还包括第一联动轴和第一阀门,所述第二隔绝装置还包括第二联动轴和第二阀门,所述第一联动轴和所述第二联动轴均通过所述压缩装置分别带动所述第一阀门和所述第二阀门,以关闭所述反应腔室的进料口。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的