[实用新型]一种双面生长的硅基四结太阳电池

摘要

本实用新型公开了一种双面生长的硅基四结太阳电池，包括作为衬底的Si子电池，位于衬底上表面的GaAs_xP_1-x、GaIn_xP_1-x子电池，以及位于衬底下表面的Ge子电池，所述GaAs_xP_1-x和GaIn_xP_1-x子电池通过GaAs_xP_1-x组分渐变缓冲层与Si子电池连接，所述Ge子电池通过Si_xGe_1-x组分渐变缓冲层与Si子电池连接，所述GaIn_xP_1-x和GaAs_xP_1-x子电池之间、GaAs_xP_1-x子电池和Si子电池之间、Si子电池与Ge子电池之间通过隧穿结连接。本实用新型利用Si衬底制备级联的四结电池，带隙组合在1.95/1.5/1.12/0.67eV左右，可以在降低成本的同时，提高该电池的光电转换效率。

主权项

一种双面生长的硅基四结太阳电池，包括作为衬底的Si子电池，其特征在于：在所述Si子电池的上表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有GaIn_xP_1‑x子电池、GaAs_xP_1‑x子电池、GaAs_xP_1‑x组分渐变缓冲层；在所述Si子电池的下表面按照层状叠加结构从上至下依次设置有Si_xGe_1‑x组分渐变缓冲层和Ge子电池；其中，所述GaIn_xP_1‑x子电池和GaAs_xP_1‑x子电池之间通过第三隧道结连接，所述GaAs_xP_1‑x子电池和Si子电池之间通过位于GaAs_xP_1‑x组分渐变缓冲层之上的第二隧道结连接，所述Si子电池和Ge子电池之间通过位于Si_xGe_1‑x组分渐变缓冲层之上的第一隧道结连接；所述GaIn_xP_1‑x子电池和GaAs_xP_1‑x子电池晶格匹配。