[实用新型]4270nm带通红外滤光敏感元件有效
申请号: | 201420757540.X | 申请日: | 2014-12-07 |
公开(公告)号: | CN204374466U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 王继平;余初旺;吕晶 | 申请(专利权)人: | 杭州麦乐克电子科技有限公司 |
主分类号: | G02B5/20 | 分类号: | G02B5/20;G02B1/00 |
代理公司: | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人: | 周豪靖 |
地址: | 311188 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种4270nm带通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板,以Ge、SiO为第一镀膜层和以Ge、SiO为第二镀膜层,且所述基板设于第一镀膜层与第二镀膜层之间。本实用新型所得到的一种4270nm带通红外滤光敏感元件,其中心波长4270 ±40nm,其在医用红外气体检测分析过程中,可大大的提高信噪比,提高测试精准度,适合于大范围的推广和使用。该滤光敏感元件的峰值透过率Tp≥70%,带宽=128±20nm,400~5500nm(除通带外),Tavg<0.1%。 | ||
搜索关键词: | 4270 nm 通红 滤光 敏感 元件 | ||
【主权项】:
一种4270nm带通红外滤光敏感元件,包括以Si为原材料的基板(2),以Ge、SiO为第一镀膜层(1)和以Ge、SiO为第二镀膜层(3),且所述基板(2)设于第一镀膜层(1)与第二镀膜层(3)之间,其特征是所述第一镀膜层(1)由内向外依次排列包含有162nm厚度的Ge层、220nm厚度的SiO层、88nm厚度的Ge层、312nm厚度的SiO层、70nm厚度的Ge层、198nm厚度的SiO层、270nm厚度的Ge层、313nm厚度的SiO层、114nm厚度的Ge层、330nm厚度的SiO层、133nm厚度的Ge层、140nm厚度的SiO层、93nm厚度的Ge层、397nm厚度的SiO层、176nm厚度的Ge层、272nm厚度的SiO层、144nm厚度的Ge层、552nm厚度的SiO层、201nm厚度的Ge层、272nm厚度的SiO层、123nm厚度的Ge层、419nm厚度的SiO层、281nm厚度的Ge层、233nm厚度的SiO层、59nm厚度的Ge层、395nm厚度的SiO层、456nm厚度的Ge层、594nm厚度的SiO层、434nm厚度的Ge层、376nm厚度的SiO层;所述的第二镀膜层(3)由内向外依次排列包含有261nm厚度的Ge层、603nm厚度的SiO层、261nm厚度的Ge层、1206nm厚度的SiO层、261nm厚度的Ge层、603nm厚度的SiO层、261nm厚度的Ge层、603nm厚度的SiO层、261nm厚度的Ge层、3620nm厚度的SiO层、249nm厚度的Ge层、150nm厚度的SiO层。
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