[实用新型]一种高通量组合材料制备装置有效
申请号: | 201420757776.3 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN204369980U | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
发明(设计)人: | 向勇;闫宗楷;张海涛;叶继春;项晓东 | 申请(专利权)人: | 宁波英飞迈材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/46 | 分类号: | C23C14/46 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 朱俊跃 |
地址: | 315040 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种高通量组合材料制备装置,包括:储靶腔,用于储存备用的所述靶材;制备腔,通过离子束溅射在靶材表面并在基片表面反溅沉积多层薄膜材料从而形成组合材料芯片前驱体;以及换靶腔,在所述制备腔和所述储靶腔之间传递或存取所述靶材;其中,所述储靶腔内、所述制备腔内、以及所述换靶腔内均为真空状态。本实用新型提供的高通量组合材料制备装置避免了靶材的污染,并减少制备装置内氧气等污染源对薄膜造成的污染,从而能够得到高品质的高通量组合材料芯片。 | ||
搜索关键词: | 一种 通量 组合 材料 制备 装置 | ||
【主权项】:
一种高通量组合材料制备装置,其特征在于,包括:储靶腔,用于储存备用的靶材;制备腔,通过离子束溅射在靶材表面并在基片表面反溅沉积多层薄膜材料从而形成组合材料芯片前驱体;以及换靶腔,在所述制备腔和所述储靶腔之间传递或存取所述靶材;其中,所述储靶腔内、所述制备腔内、以及所述换靶腔内均为真空状态。
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