[实用新型]一种带有InAlP势垒层的增强型PHEMT结构有效
| 申请号： | 201420770306.0 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN204289460U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋建;杜全钢;李维刚;谢小刚;冯巍;姜炜;郭永平 | 申请（专利权）人： | 新磊半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 215151 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种带有InAlP势垒层的增强型PHEMT结构，该结构自下而上依次为GaAs衬底、GaAs缓冲层、AlGaAs下势垒层、下平面掺杂Si层、AlGaAs下空间隔离层、InGaAs沟道层、AlGaAs上空间隔离层、上平面掺杂Si层、AlGaAs势垒层、InAlP势垒层、GaAs重掺杂帽层。InAlP作为势垒层的肖特基势垒高度比原本作为势垒的AlGaAs的肖特基势垒高大约0.27eV，栅极最大正向偏压也可以相应增加约0.27V，这样会大幅度增加饱和电流密度。InAlP禁带宽度比AlGaAs更大，使得栅极击穿电压会增大2V左右。同时，InAlP也可以作为腐蚀阻断层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带有 inalp 势垒层 增强 phemt 结构 | ||
【主权项】：
一种带有InAlP势垒层的增强型PHEMT结构，其特征在于：该结构包括GaAs缓冲层(1)、AlGaAs下势垒层(2)、下平面掺杂Si层(3)、AlGaAs下空间隔离层(4)、InGaAs沟道层(5)、AlGaAs上空间隔离层(6)、上平面掺杂Si层(7)、AlGaAs势垒层(8)、InAlP势垒层(12)、GaAs重掺杂帽层(10)、GaAs衬底(11)；其结构为自下而上分别为GaAs衬底(11)、GaAs缓冲层(1)、AlGaAs下势垒层(2)、下平面掺杂Si层(3)、AlGaAs下空间隔离层(4)、InGaAs沟道层(5)、AlGaAs上空间隔离层(6)、上平面掺杂Si层(7)、AlGaAs势垒层(8)、InAlP势垒层(12)、GaAs重掺杂帽层(10)。
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