[实用新型]覆晶式发光二极管的电路结构有效

专利信息
申请号: 201420779801.8 申请日: 2014-12-11
公开(公告)号: CN204348716U 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 蔡孟庭;洪政暐;林育锋 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/60;H01L33/62
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 贾磊
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型提供了一种覆晶式发光二极管的电路结构,用以供至少一覆晶式发光二极管组装,每一覆晶式发光二极管具有至少两电极,电路结构于一基板的表面定义出一光发射面,且光发射面上具有复数个反射导接面,而反射导接面用以供前述覆晶式发光二极管的电极组接,使该等覆晶式发光二极管于光发射面上形成串联、并联或串并联,其中反射导接面的总面积占光发射面的面积的80%~99%;藉此,本实用新型覆晶式发光二极管的电路结构通过增加覆晶式发光二极管的电路板上的反射导接面的面积比例,有效达到覆晶式发光二极管元件的发光效率的提升。
搜索关键词: 覆晶式 发光二极管 电路 结构
【主权项】:
一种覆晶式发光二极管的电路结构,其特征在于,所述电路结构用以供至少一覆晶式发光二极管组装,每一覆晶式发光二极管具有至少两电极,所述电路结构于一基板的表面定义出一光发射面,且所述光发射面上具有复数个反射导接面,而所述反射导接面用以供所述覆晶式发光二极管的电极组接,使所述覆晶式发光二极管于所述光发射面上形成串联、并联或串并联,其中所述反射导接面的总面积占所述光发射面的面积的80%~99%。
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