[实用新型]提高晶体生长速度的发热筒及晶体生长装置有效
| 申请号： | 201420784395.4 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN204417638U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陶莹;巴音图;邓树军;高宇;赵梅玉 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二环路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种提高晶体生长速度的发热筒及晶体生长装置，发热筒包括石墨筒体，所述筒体下半部分与碳化硅原料对应部分的壁厚薄，且该部分的壁厚与石墨坩埚壁厚之和处于趋肤效应厚度范围之内，所述筒体上半部分的壁厚大于所述筒体下半部分的壁厚。本实用新型通过对发热筒上厚下薄的设计，来实现调控原料和籽晶处的温度，即可实现大幅提高原料区的温度，而籽晶处的温度基本保持不变，从而实现快速晶体生长所需要的大的温度梯度，提高晶体生长速度，实验重复性好，且极大的降低生产成本，同时解决了现有方法的杂质问题。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶体生长 速度 发热 装置 | ||
【主权项】：
一种提高晶体生长速度的发热筒，包括石墨筒体，其特征在于:所述筒体下半部分与碳化硅原料对应部分的壁厚薄，且该部分的壁厚与石墨坩埚壁厚之和处于趋肤效应厚度范围之内，所述筒体上半部分的壁厚大于所述筒体下半部分的壁厚5mm到30mm。
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