[实用新型]提高晶体生长速度的坩埚及晶体生长装置有效
| 申请号： | 201420784405.4 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN204417640U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陶莹;邓树军;高宇;巴音图 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二环路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种提高晶体生长速度的坩埚及晶体生长装置，所述坩埚为石墨坩埚，所述坩埚上部靠近晶体处的外径小于下部的外径，并在该部分设置一圈石墨毡，使得坩埚上下两部分整体外径相同。本实用新型通过对现有坩埚减少其上部外径(切除一定尺寸圆环柱)，该处填入石墨毡的结构改进，实现降低籽晶处温度、提高温度梯度的目的，由于温度梯度的提高，进而加快了晶体的生长速度，而且易于操作，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶体生长 速度 坩埚 装置 | ||
【主权项】：
一种提高晶体生长速度的坩埚，所述坩埚为石墨坩埚，其特征在于:所述坩埚上部靠近晶体处的外径小于下部的外径，并在坩埚上部靠近晶体处的外壁设置一圈石墨毡，使得坩埚上下两部分整体外径相同。
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