[实用新型]一种用于制备碳化硅晶体的加热装置有效
| 申请号： | 201420784502.3 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN204417642U | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 高宇;巴音图;邓树军;赵梅玉;陶莹 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 韩敏 |
| 地址： | 071051 河北省保定市二环路*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种用于制备碳化硅晶体的加热装置，该装置在坩埚上方增设顶部加热器，晶体退火过程中，通过设定适宜的顶部加热器加热功率使得晶体内径向和轴线温度梯度与晶体生长过程相比大幅度缩小或翻转，进而使得冷却后晶体内部的残余热应力大幅度降低，晶体不会因内应力过高而碎裂。利用本实用新型装置可通过顶部加热器主动调节晶体上方温度，使晶体内呈现所需要的温度分布，有效克服了现有技术中难以降低晶体内残余热应力而导致的晶体碎裂的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 碳化硅 晶体 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种用于制备碳化硅晶体的加热装置，包括坩埚(1)，主加热器(2)，保温层(3)，其中主加热器(2)位于坩埚(1)外周、包围住坩埚(1)的侧面和底面，保温层(3)位于主加热器(2)外周，其特征在于还包括顶部加热器(7)，所述顶部加热器(7)位于坩埚(1)上方。
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