[实用新型]一种高结温防反二极管有效

专利信息
申请号: 201420797529.6 申请日: 2014-12-16
公开(公告)号: CN204271068U 公开(公告)日: 2015-04-15
发明(设计)人: 颜辉;陈雪筠;孙祥玉;项罗毅;陈晨 申请(专利权)人: 常州瑞华电力电子器件有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L29/861
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213200*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种高结温防反二极管,包括二极管容置壳体和盖在二极管容置壳体上的盖板以及设在二极管容置壳体内的二极管芯片,所述的二极管容置壳体底部通过螺栓连接有螺旋形散热器。所述的一种高结温防反二极管,采用此种设计的二极管芯片,将设计的PN结二极管结合在二极管上,实现了在高温环境下,能够实现二极管的稳定性,利用螺旋形散热器的设计,有效地达到快速散热的目的。
搜索关键词: 一种 高结温 防反 二极管
【主权项】:
一种高结温防反二极管,其特征是:包括二极管容置壳体(1)和盖在二极管容置壳体(1)上的盖板(2)以及设在二极管容置壳体(1)内的二极管芯片(3),所述的二极管容置壳体(1)底部通过螺栓连接有螺旋形散热器(4),所述的二极管芯片(3)包括壳体(31)、同轴封装在壳体(31)内的阴极(32)和阳极(33)、设在阴极(32)和阳极(33)之间的PN结二极管(34),PN结二极管(34)包括钛合金层(34‑1)、碳化硅层(34‑2)、P型半导体层(34‑3)、N型半导体层(34‑4)、镍层(34‑5)、第一钛层(34‑6)、氮化钛层(34‑7)、第二钛层(34‑8)以及铝层(34‑9),所述的钛合金层(34‑1)、碳化硅层(34‑2)、P型半导体层(34‑3)、N型半导体层(34‑4)、镍层(34‑5)、第一钛层(34‑6)、氮化钛层(34‑7)、第二钛层(34‑8)以及铝层(34‑9)是依次相互叠合而成,钛合金层(34‑1)与阴极(32)相接触,铝层(34‑9)与阳极(33)相接触。
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