[实用新型]半导体测试结构有效
| 申请号： | 201420807322.2 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN204271044U | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 柳会雄;董天化;金岚;吴亮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的半导体测试结构，包括：行间距设定为第一预定距离、列间距设定为第二预定距离的2行2N+1列规则排布的第一多晶硅，相邻的四个所述第一多晶硅的相近的顶点围绕形成2N列的连接区域；N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上层，第n列所述第二多晶硅连接第2n-1列与第2n列的所述连接区域；2N列连接塞，所述连接塞位于所述第二多晶硅的上层，位于所述连接区域相对的区域；N-1列第一金属，所述第一金属位于所述连接塞的上层，第n列所述第一金属连接第2n列与第2n+1列的所述连接塞；其中，n＝1，2，……，N。本实用新型的半导体测试结构，可用于检测第二多晶硅与连接塞之间的接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，其特征在于，包括：行间距设定为第一预定距离、列间距设定为第二预定距离的2行2N+1列规则排布的第一多晶硅，相邻的四个所述第一多晶硅的相近的顶点围绕形成2N列的连接区域；N列第二多晶硅，所述第二多晶硅位于所述第一多晶硅的上层，第n列所述第二多晶硅连接第2n‑1列与第2n列的所述连接区域；2N列连接塞，所述连接塞位于所述第二多晶硅的上层，位于所述连接区域相对的区域；N‑1列第一金属，所述第一金属位于所述连接塞的上层，第n列所述第一金属连接第2n列与第2n+1列的所述连接塞；其中，n＝1，2，……，N。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
