[实用新型]一种具有大功率能量泄放能力的IGBT过压保护电路有效
申请号: | 201420828667.6 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN204258289U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 王敏化;邓福能;林武生;赵世运;李夏蔚 | 申请(专利权)人: | 万洲电气股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人: | 严崇姚 |
地址: | 441000 *** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用新型的名称为一种具有大功率能量泄放能力的IGBT过压保护电路。属于电机调速技术领域。主要是解决现有过压保护电路因不能完全泄放能量以致电压升高烧损IGBT的问题。它的主要特征是:包括由串接的限流电阻、防反二极管、击穿二极管、第三电阻、以及并接在击穿二极管上的第二电阻构成的电压监测电路;由可控硅构成的泄放电路,泄放电路与电压监测电路并接;由串接的稳压二极管、第二二极管和第三二极管构成的可控硅触发电路,可控硅触发电路并接在第三电阻两端,第二二极管和第三二极管的阴极与可控硅的控制极相连。本实用新型具有快速检测过电压,达到保护阀值即提供能量泄放通道,从而避免IGBT烧损的特点,主要用于转子变频调速系统中IGBT模块的过压保护。 | ||
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【主权项】:
一种具有大功率能量泄放能力的IGBT过压保护电路,其特征在于:包括由串接的限流电阻(R1)、防反二极管(D1)、击穿二极管(BOD1)、第三电阻(R3)、以及并接在击穿二极管(BOD1)上的第二电阻(R2)构成的电压监测电路(1);由可控硅(V1)构成的泄放电路,泄放电路与电压监测电路(1)并接;由串接的稳压二极管(D4)、第二二极管(D2)和第三二极管(D3)构成的可控硅触发电路(2),第二二极管(D2)和第三二极管(D3)的阴极相接,可控硅触发电路(2)并接在第三电阻(R3)两端,第二二极管(D2)和第三二极管(D3)的阴极与可控硅(V1)的控制极相连。
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