[实用新型]一种具有大功率能量泄放能力的IGBT过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201420828667.6 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN204258289U 公开(公告)日: 2015-04-08
发明(设计)人: 王敏化;邓福能;林武生;赵世运;李夏蔚 申请(专利权)人: 万洲电气股份有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 代理人: 严崇姚
地址: 441000 *** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型的名称为一种具有大功率能量泄放能力的IGBT过压保护电路。属于电机调速技术领域。主要是解决现有过压保护电路因不能完全泄放能量以致电压升高烧损IGBT的问题。它的主要特征是:包括由串接的限流电阻、防反二极管、击穿二极管、第三电阻、以及并接在击穿二极管上的第二电阻构成的电压监测电路;由可控硅构成的泄放电路,泄放电路与电压监测电路并接;由串接的稳压二极管、第二二极管和第三二极管构成的可控硅触发电路,可控硅触发电路并接在第三电阻两端,第二二极管和第三二极管的阴极与可控硅的控制极相连。本实用新型具有快速检测过电压,达到保护阀值即提供能量泄放通道,从而避免IGBT烧损的特点,主要用于转子变频调速系统中IGBT模块的过压保护。
搜索关键词: 一种 具有 大功率 能量 能力 igbt 保护 电路
【主权项】:
一种具有大功率能量泄放能力的IGBT过压保护电路,其特征在于:包括由串接的限流电阻(R1)、防反二极管(D1)、击穿二极管(BOD1)、第三电阻(R3)、以及并接在击穿二极管(BOD1)上的第二电阻(R2)构成的电压监测电路(1);由可控硅(V1)构成的泄放电路,泄放电路与电压监测电路(1)并接;由串接的稳压二极管(D4)、第二二极管(D2)和第三二极管(D3)构成的可控硅触发电路(2),第二二极管(D2)和第三二极管(D3)的阴极相接,可控硅触发电路(2)并接在第三电阻(R3)两端,第二二极管(D2)和第三二极管(D3)的阴极与可控硅(V1)的控制极相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万洲电气股份有限公司,未经万洲电气股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201420828667.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top