[实用新型]一种PGaN基LED外延片有效
| 申请号： | 201420828798.4 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN204257686U | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 邓顺达;林溪汉;林政德 | 申请（专利权）人： | 冠铨（山东）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 济宁众城专利事务所 37106 | 代理人： | 李效宁 |
| 地址： | 272000 山东省济宁*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层，nGaN层，缓冲层，InGaN/GaN 多量子阱层和GaN基LED所需的PA1GaN 和PGaN，其特征在于：在所述PGaN层上还生长有一层P-GaN，所述PGaN层为在800～1200℃生长的PGaN层，所述P-GaN层为在850～1250℃生长的P-GaN层，其厚度在0～300Å之间；本实用新型的一种PGaN基LED外延片，其通过PGaN层叠加的生长方式降低阻抗，扩散电流方向，提高了发光效率，并可以获取高质量的InGaN/GaN 多量子阱的LED 外延片，对现有生长工艺无冲突，且结构紧凑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pgan led 外延 | ||
【主权项】：
一种PGaN基LED外延片，包括在蓝宝石衬底上依次生长的uGaN层、nGaN层、缓冲层、nGaN/GaN 多量子阱层和GaN基LED所需的PA1GaN层和PGaN层，其特征在于：在所述PGaN层（7）上还生长有P‑GaN层（8），所述PGaN层（7）为在800～1200℃生长的PGaN层（7），其厚度在0～300Å之间，所述P‑GaN层（8）为在850～1250℃生长的P‑GaN层（8），其厚度在0～300Å之间。
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