[实用新型]一种P波段单刀双掷开关有效
| 申请号： | 201420836482.X | 申请日： | 2014-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN204349944U | 公开（公告）日： | 2015-05-20 |
| 发明（设计）人： | 徐洪波 | 申请（专利权）人： | 成都华光瑞芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/56 | 分类号： | H03K17/56 |
| 代理公司： | 泰和泰律师事务所 51219 | 代理人： | 向晟 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型的一种P波段单刀双掷开关，包括两个对称结构支路，其特征在于：所述单个支路采用两个膺晶高电子迁移率晶体管串并联组合结构，所述单个支路中两个膺晶高电子迁移率晶体管栅极分别接开关控制信号C1、C2，源级接射频信号输入端，漏极接输出端。它主要针对于P波段的应用，输入端并联有电阻到地，电阻能够吸收部分微波信号功率，降低反射，改善了驻波匹配，使开关驻波比较好，稳定性也有所提高。设计单个支路采用pHEMT膺晶高电子迁移率晶体管串并联结构，两个支路四个晶体管同时工作，有效提高了端口之间隔离度。本实用新型具有开关导通支路插损小，驻波好，开关隔离度高，反应时间短的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波段 单刀 开关 | ||
【主权项】：
一种P波段单刀双掷开关，包括两个对称结构支路，其特征在于：所述单个支路采用两个膺晶高电子迁移率晶体管串并联组合结构，所述单个支路中两个膺晶高电子迁移率晶体管栅极分别接开关控制信号C1、C2，源级接射频信号输入端，漏极接输出端。
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