[实用新型]无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构

摘要

本实用新型公开了一种无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、漂浮有源区，还包括第一P型离子区、第二P型离子区、N型离子区；第一P型离子区和N型离子区位于电荷传输晶体管的沟道区，两者相互接触，并且第一P型离子区在靠近光电二极管的一侧与光电二极管上部的Pin型P+层接触，N型离子区在靠近漂浮有源区的一侧与漂浮有源区的N+区接触；第二P型离子区位于N型离子区和漂浮有源区的底部；光电二极管在电荷传输晶体管沟道处的边界为第一P型离子区与所述N型离子区的接触处。配合像素中的电荷传输晶体管栅极控制方法，进行光电电荷转移操作时，电荷传输晶体管沟道与光电二极管之间无势垒和势谷，不会产生图像拖尾现象。

主权项

一种无图像拖尾的CMOS图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、漂浮有源区，其特征在于，还包括第一P型离子区、第二P型离子区、N型离子区；所述第一P型离子区和N型离子区位于所述电荷传输晶体管的沟道区，两者相互接触，并且所述第一P型离子区在靠近所述光电二极管的一侧与光电二极管上部的Pin型P+层接触，所述N型离子区在靠近所述漂浮有源区的一侧与漂浮有源区的N+区接触；所述第二P型离子区位于所述N型离子区和漂浮有源区的底部；所述光电二极管在电荷传输晶体管沟道处的边界为所述第一P型离子区与所述N型离子区的接触处。