[实用新型]半导体再布线封装结构有效
| 申请号： | 201420860906.6 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN204391087U | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 高国华;郭飞 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半导体再布线封装结构，包括种子层，和形成在种子层上的第二再布线层和第二树脂层；其中，第二再布线层和第二树脂层分别由设置在种子层上的第一再布线层和包覆于第一再布线层上的第一树脂层减薄形成。采用本实用新型的半导体再布线封装结构，可以减小再布线层与晶圆表面的平行面应力，使得半导体再布线封装结构更加稳定，且性能更加可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 布线 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体再布线封装结构，其特征在于，包括：种子层，和形成在所述种子层上的第二再布线层和第二树脂层；其中，所述第二再布线层和所述第二树脂层分别由设置在所述种子层上的第一再布线层和包覆于所述第一再布线层上的第一树脂层减薄形成。
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