[实用新型]一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜有效
申请号: | 201420869295.1 | 申请日: | 2014-12-31 |
公开(公告)号: | CN204497240U | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
发明(设计)人: | 瞿辉;徐春;曹玉甲;张一源 | 申请(专利权)人: | 江苏顺风光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 路接洲 |
地址: | 213169 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜,所述钝化减反射多层膜底层为SiOx层,SiOx层折射率为1.48-1.8,厚度为2-20nm;多层钝化减反射膜中间层为SiNx层,SiNx层可以是单层SiN,也可以是不同折射率的多层SiN,折射率范围是1.9-2.20,厚度为30-70nm;钝化减反射多层膜顶层为SiOxNy层,SiOxNy层折射率为1.6-1.95,厚度为20-60nm;钝化减反射多层膜的总膜厚为80-140um,折射率1.9-2.1。该高效黑太阳电池的多层钝化减反射膜既可以降低电池片表面界面态,提高钝化效果,又可以降低电池片表面反射率,提高短路电流,同时还具有较好的抗PID衰减特性,且制备的黑电池层压后颜色较暗、均匀、无色差。 | ||
搜索关键词: | 一种 高效 电池 钝化 反射 多层 | ||
【主权项】:
一种晶硅高效黑电池的钝化减反射多层膜,其特征在于:包括在硅片表面依次沉积的SiOx层、单层SiNx或双层SiNx层和SiOxNy层;所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层的总膜厚为80~140nm,折射率为1.9~2.1;所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层中,SiOx层为底层;所述的底层SiOx层的膜厚为2~20nm,折射率为1.48~1.8;所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层中,单层或多层SiNx层为中间层;所述的中间层的总膜厚为30~70nm,折射率为1.9~2.2;所述的SiOx层、单层或双层SiNx层和SiOxNy层中,SiOxNy层为顶层;所述的顶层SiOxNy层的膜厚为20~60nm,折射率为1.6~1.95。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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