[发明专利]使用沟槽结构制备图案的方法及其制备的图案,以及使用该制备方法制备太阳能电池的方法及其制备的太阳能电池有效
申请号: | 201480000866.0 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN104247050B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 具勇成;金俊衡 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 李静,黄丽娟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本公开提供一种制备图案的方法,包括使用喷墨法在基板上形成沟槽结构;用填料填充沟槽结构的内部;并去除所述沟槽结构,以及使用该方法制备的图案,本公开还提供使用所述制备图案的方法制备太阳能电池的方法,以及使用该方法制备的太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 使用 沟槽 结构 制备 图案 方法 及其 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种制备图案的方法,包括:在基板上形成包括壁表面的沟槽结构;用填料填充所述沟槽结构的内部;以及去除所述沟槽结构,其中,使用热熔油墨通过喷墨法形成所述沟槽结构,所述沟槽结构由多个用于形成沟槽结构的印刷图案构成,所述印刷图案重叠并形成于另一印刷图案上,并且其中,所述沟槽结构的内部高度与内部宽度的比例为6:1至1:10。
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