[发明专利]放大器有效
| 申请号： | 201480001035.5 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN104247258B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高桥幸二;中村重纪 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供抑制电路规模增大和耗电增大且容易地抑制奇数次高次谐波的放大器。该放大器具备具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管，该放大器还具备附加于每个所述栅极指的电容性电介质；以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻，由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器，从所述栅极的输入端子到OD(Oxide Diffusion，氧化物扩散)区域边界的各个栅极指的宽度或长度不同。 | ||
| 搜索关键词： | 放大器 | ||
【主权项】：
放大器，其具备：具有多个栅极指的MOS晶体管、或具有单一栅极指的多个MOS晶体管，所述放大器还具有：附加于每个所述栅极指的电容性电介质；以及在输入交流信号的输入端子和栅极的输入端子之间连接的可变电阻，由所述可变电阻、每个所述栅极指的栅极电阻以及所述电容性电介质形成具有期望的频率特性的多个低通滤波器，每个所述栅极指的从所述栅极的输入端子到氧化物扩散区域边界之间的距离各不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201480001035.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
