[发明专利]中空型硅类粒子及其制备方法和包括该粒子的锂二次电池用负极活性物质有效
| 申请号： | 201480001449.8 | 申请日： | 2014-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN104334496B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 韩玑范;朴洪奎;郑王谟;姜盛中;赵治皓;柳志勋 | 申请（专利权）人： | 株式会社LG化学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12;C01B33/023;B82B1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 金龙河;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及中空型硅类粒子及制备方法及锂二次电池用负极活性物质，上述中空型硅类粒子包含在内部包括空芯部的硅(Si)粒子或硅氧化物(SiOx，0＜x＜2)粒子，上述空芯部的大小为5nm至45μm。本发明在硅类粒子的内部形成有中空，从而能够向硅类粒子的内部/外部两方向引导体积膨胀，因而最小化体积向硅类粒子的外部膨胀，由此能够提高锂二次电池的容量特性及寿命特性。并且，本发明的中空型硅类粒子的新的制备方法能够进行批量生产，且与现有的通过化学气相沉淀法或气‑液‑固法的工序相比，生产速度快，在工序或安全性方面有利。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 型硅类 粒子 及其 制备 方法 包括 二次 电池 负极 活性 物质 | ||
【主权项】：
1.一种中空型硅类粒子的制备方法，其特征在于，包括：步骤ⅰ)，制备聚合物模板；步骤ⅱ)，使用硅类前体，在所述聚合物模板的表面涂敷SiO2；步骤ⅲ)，去除所述聚合物模板，获得中空型SiO2粒子；以及步骤ⅳ)，在使用碱金属或碱土金属使所述中空型SiO2粒子还原之后，对还原的产物进行酸处理，由此获得中空型硅粒子或硅氧化物SiOx粒子，其中0＜x＜2，其中所述聚合物模板包含聚(丙烯腈‑[2‑(甲基丙烯酰氧基)乙基]三甲基氯化铵)。
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