[发明专利]IGZO溅射靶和IGZO膜在审
| 申请号： | 201480002040.8 | 申请日： | 2014-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105308208A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 长田幸三;角田浩二;栗原敏也 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种溅射靶，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)的IGZO烧结体溅射靶，其特征在于，In、Ga、Zn为0.575≥In/(In+Ga)≥0.500、且Zn/(In+Ga+Zn)＜0.333的组成范围，该溅射靶具有由(InxGa(1-x))2ZnO4(1＞x＞0)相构成的单一相组织、或者具有由(InxGa(1-x))2ZnO4(1＞x＞0)相和In2O3相构成的双相结构的组织，该In2O3相的最大直径为10μm以下。本发明提供实现降低溅射用靶的体电阻以及载流子浓度为一定范围以下、并且实现提高靶的密度、将电弧放电的产生抑制到最小限度、能够进行DC溅射的IGZO靶技术。 | ||
| 搜索关键词： | igzo 溅射 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其为包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和氧(O)的IGZO烧结体溅射靶，其特征在于，In、Ga、Zn为0.575≥In/(In+Ga)≥0.500、且Zn/(In+Ga+Zn)＜0.333的组成范围，该溅射靶具有由(InxGa(1‑x))2ZnO4(1＞x＞0)相构成的单一相组织。
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