[发明专利]深紫外LED及其制造方法有效
| 申请号： | 201480002228.2 | 申请日： | 2014-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN105934833B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 鹿岛行雄;松浦惠里子;小久保光典;田代贵晴;大川贵史;平山秀树;上村隆一郎;长田大和;岛谷聪 | 申请（专利权）人： | 丸文株式会社;东芝机械株式会社;独立行政法人理化学研究所;株式会社爱发科;东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,刘华联 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有至少贯穿所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层而构成的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫 led 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种以设计波长为λ的深紫外LED，其特征在于，从与基板的相反侧起依序具有反射电极层、金属层、p型GaN接触层、相对波长λ透明的p型AlGaN层，具有设于至少包括所述p型GaN接触层和所述p型AlGaN层的界面的厚度方向的范围的光子晶体周期结构，并且，所述光子晶体周期结构具有光子带隙；所述光子晶体周期结构在所述基板侧的其底面部由空气和所述AlGaN层的两个结构体构成，波长λ、周期a及所述两个结构体的平均折射率nav满足布拉格散射条件，并且，该布拉格散射条件的次数m在1<m<5的范围内。
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