[发明专利]半导体用复合基板的操作基板有效
申请号: | 201480002869.8 | 申请日: | 2014-07-10 |
公开(公告)号: | CN104798177B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
发明(设计)人: | 岩崎康范;井出晃启;宫泽杉夫 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C04B35/115 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所31210 | 代理人: | 李晓 |
地址: | 日本国爱知县名*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 操作基板1由透光性陶瓷构成。操作基板1的接合面1a一侧的表面区域2A所含的大小0.5~3.0μm的气孔的平均密度在50个/mm2以下。操作基板1内形成有大小0.5~3.0μm的气孔的平均密度在100个/mm2以上的区域3。透光性陶瓷的平均粒径为5~60μm。 | ||
搜索关键词: | 半导体 复合 操作 | ||
【主权项】:
一种操作基板,是半导体用复合基板的操作基板,其特征在于,所述操作基板由透光性陶瓷构成,所述操作基板的接合面一侧的表面区域包含大小0.5~3.0μm的气孔,所述接合面一侧的表面区域所含的大小0.5~3.0μm的气孔的平均密度在50个/mm2以下,所述操作基板内形成有大小0.5~3.0μm的气孔的平均密度在100个/mm2以上的区域,所述透光性陶瓷的平均粒径为5~60μm,所述接合面一侧的所述表面区域内的所述气孔的平均密度、与所述基板的厚度方向的中心线通过区域内的所述气孔的平均密度之比率为1:2~1:40。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造