[发明专利]III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201480002997.2 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104781907B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 木山诚;石桥惠二;八乡昭广;松本直树;中西文毅 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/329;H01L27/12;H01L29/47;H01L29/861;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 具有75mm或更大直径的III族氮化物复合衬底(1)包括彼此结合的具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts的支撑衬底(11)和具有比厚度ts薄的、0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf的III族氮化物膜(13)。通过从III族氮化物膜(13)的热膨胀系数αf中减去支撑衬底(11)的热膨胀系数αs确定的热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10‑6K‑1或更小。支撑衬底(11)的杨氏模量Es和厚度ts、III族氮化物膜(13)的杨氏模量Ef和厚度tf，以及热膨胀系数之差Δα满足通过以下关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es。因此，提供具有大厚度且高晶体质量的III族氮化物膜的低成本、大直径和低变形的III族氮化物复合衬底和由该III族氮化物复合衬底制成的III族氮化物半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 复合 衬底 及其 制造 方法 层叠 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物复合衬底，所述III族氮化物复合衬底具有75mm或更大的直径，所述III族氮化物复合衬底包括彼此结合的支撑衬底和III族氮化物膜，所述支撑衬底具有0.1mm或更大且1mm或更小的厚度ts，所述III族氮化物膜具有0.01mm或更大且0.25mm或更小的厚度tf，所述厚度tf比所述厚度ts薄，热膨胀系数之差Δα的绝对值|Δα|是2.2×10‑6K‑1或更小，所述热膨胀系数之差Δα通过从所述III族氮化物膜的热膨胀系数αf减去所述支撑衬底的热膨胀系数αs来确定，并且所述支撑衬底的杨氏模量Es和所述厚度ts、所述III族氮化物膜的杨氏模量Ef和所述厚度tf、以及所述热膨胀系数之差Δα满足由公式(1)定义的关系：ts2/tf≥6Ef·|Δα|/Es... (1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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