[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提出一种半导体装置的制造方法。在半导体装置(100)交替地形成接合部(75)～接合部(72)及环接部(85)～环接部(82)，所述接合部(75)～接合部(72)使导线(12)的侧面接合于衬垫(65)～衬垫(62)，所述环接部(85)～环接部(82)自接合部(75)～接合部(72)环接至与衬垫(65)～衬垫(62)邻接的其他衬垫(64)～衬垫(61)上为止。而且，在衬垫(65)～衬垫(61)自半导体芯片(55)～半导体芯片(51)的表面凹陷的情况下，将共用的导线(12)压扁至比衬垫(65)～衬垫(61)的凹陷深度厚的厚度而形成扁平形状。由此，在本发明中，对自半导体芯片的表面凹陷的电极有效率地进行结合。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其中所述半导体装置的制造方法的特征在于：交替地重复接合步骤及环接步骤，从而利用共用的导线将3个以上的半导体芯片或基板的电极依次连接，所述接合步骤是利用毛细管将所述导线的侧面按压至一电极，而将所述导线的侧面接合于所述一电极，所述环接步骤则是在所述接合步骤之后，利用毛细管使所述导线环接至其他电极上为止，所述环接步骤包括：第一上升步骤，在所述接合步骤后，使所述毛细管自所述一电极垂直地上升；第一倾斜移动步骤，在所述第一上升步骤之后，使所述毛细管朝向其他电极而向斜下方向移动；第二上升步骤，在所述第一倾斜移动步骤之后，再次使所述毛细管垂直地上升；反向步骤，在所述第二上升步骤之后，使所述毛细管朝向其他电极的相反侧而向斜下方向移动；第二倾斜移动步骤，在所述反向步骤之后，使所述毛细管向斜上方向移动至所述一电极正上方为止；第三上升步骤，在所述第二倾斜移动步骤之后，再次使所述毛细管垂直地上升；以及弧状移动步骤，在所述第三上升步骤之后，使毛细管朝向所述其他电极的正上方呈弧状地移动。